P-kanaaltransistor IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V

P-kanaaltransistor IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.15€
5-24
0.95€
25-49
0.80€
50+
0.73€
+25 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 26

P-kanaaltransistor IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Behuizing: DIP. ID (T=25°C): 0.56A. Idss (max): 0.56A. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 200V. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Aanval: 15nC. Aftapstroom: -600mA, -0.36A. Afvoerbronspanning: -200V. Binnendiameter (T=100°C): 0.34A. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Kanaaltype: P. Markering van de fabrikant: IRFD9220PBF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Polariteit: unipolair. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: P-MOSFET. Vermogen: 1W. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:43

Technische documentatie (PDF)
IRFD9220
24 parameters
Behuizing
DIP
ID (T=25°C)
0.56A
Idss (max)
0.56A
Behuizing (volgens datablad)
DH-1 house, DIP-4
Spanning Vds(max)
200V
Aan-weerstand Rds Aan
1.5 Ohms
Aantal aansluitingen
4
Aantal per doos
1
Aanval
15nC
Aftapstroom
-600mA, -0.36A
Afvoerbronspanning
-200V
Binnendiameter (T=100°C)
0.34A
Functie
P-kanaal MOSFET-transistor
Kanaaltype
P
Markering van de fabrikant
IRFD9220PBF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1W
Polariteit
unipolair
RoHS
ja
Spanning
±20V
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
P-MOSFET
Vermogen
1W
Origineel product van fabrikant
International Rectifier