P-kanaaltransistor IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V

P-kanaaltransistor IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.16€
5-24
0.99€
25-49
0.87€
50-99
0.79€
100+
0.68€
+5 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd
Geen voorraad meer

P-kanaaltransistor IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V. Behuizing: DIP. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (max): 0.1A. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 100V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Aanval: 18nC. Aftapstroom: -1A, -0.7A. Afvoerbronspanning: -100V. Binnendiameter (T=100°C): 0.6A. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Kanaaltype: P. Markering van de fabrikant: IRFD9120PBF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Polariteit: unipolair. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: P-MOSFET. Vermogen: 1.3W. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:43

Technische documentatie (PDF)
IRFD9120
24 parameters
Behuizing
DIP
ID (T=25°C)
0.1A
Idss (max)
0.1A
Behuizing (volgens datablad)
DH-1 house, DIP-4
Spanning Vds(max)
100V
Aan-weerstand Rds Aan
0.6 Ohms
Aantal aansluitingen
4
Aantal per doos
1
Aanval
18nC
Aftapstroom
-1A, -0.7A
Afvoerbronspanning
-100V
Binnendiameter (T=100°C)
0.6A
Functie
P-kanaal MOSFET-transistor
Kanaaltype
P
Markering van de fabrikant
IRFD9120PBF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1.3W
Polariteit
unipolair
RoHS
ja
Spanning
±20V
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Type transistor
P-MOSFET
Vermogen
1.3W
Origineel product van fabrikant
International Rectifier