P-kanaaltransistor IRFD9110, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 500uA. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 100V. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Binnendiameter (T=100°C): 0.49A. C(inch): 200pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 5.6A. Kanaaltype: P. Kosten): 94pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 15 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Trr-diode (min.): 82 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:43