P-kanaaltransistor IRFD9024, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V

P-kanaaltransistor IRFD9024, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.14€
5-24
0.94€
25-49
0.80€
50+
0.72€
Hoeveelheid in voorraad: 198

P-kanaaltransistor IRFD9024, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (max): 500uA. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 60V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Binnendiameter (T=100°C): 1.1A. C(inch): 570pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 100dB. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 13A. Kanaaltype: P. Kosten): 360pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(aan): 13 ns. Td(uit): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: FET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:43

Technische documentatie (PDF)
IRFD9024
32 parameters
ID (T=25°C)
1.8A
Idss (max)
500uA
Behuizing
DIP
Behuizing (volgens datablad)
DH-1 house, DIP-4
Spanning Vds(max)
60V
Aan-weerstand Rds Aan
0.28 Ohms
Aantal aansluitingen
4
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
Binnendiameter (T=100°C)
1.1A
C(inch)
570pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
100dB
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
100uA
Id(imp)
13A
Kanaaltype
P
Kosten)
360pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1.3W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Td(aan)
13 ns
Td(uit)
15 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
FET
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier