P-kanaaltransistor IRFD9014, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 60V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Binnendiameter (T=100°C): 0.8A. C(inch): 270pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 100dB. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 8.8A. Kanaaltype: P. Kosten): 170pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 11 ns. Td(uit): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: FET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:43