P-kanaaltransistor IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 250uA. Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 23.3nC. Aftapstroom: -19A. Afvoerbronspanning: -55V. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 14A. C(inch): 620pF. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 2.2K/W. ID s (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaaltype: P. Kosten): 280pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Op de staat weerstand: 100M Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Td(aan): 13 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 54ms. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 68W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:43