P-kanaaltransistor IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V

P-kanaaltransistor IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.08€
5-24
0.91€
25-49
0.80€
50-99
0.73€
100+
0.62€
Hoeveelheid in voorraad: 107

P-kanaaltransistor IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.175 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 8.5A. C(inch): 350pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 48A. Kanaaltype: P. Kosten): 170pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 13 ns. Td(uit): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:43

Technische documentatie (PDF)
IRF9Z24NPBF
30 parameters
ID (T=25°C)
12A
Idss (max)
250uA
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
55V
Aan-weerstand Rds Aan
0.175 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
8.5A
C(inch)
350pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
48A
Kanaaltype
P
Kosten)
170pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
45W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
13 ns
Td(uit)
23 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
47 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies