P-kanaaltransistor IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V

P-kanaaltransistor IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.63€
5-24
1.35€
25-49
1.25€
50-99
1.10€
100+
0.91€
+25 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 108

P-kanaaltransistor IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V. Behuizing: TO-220. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 500uA. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Aantal per doos: 1. Aanval: 44nC. Aftapstroom: -11A, -6.8A. Afvoerbronspanning: -200V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. C(inch): 1200pF. Conditionering: tubus. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 44A. Kanaaltype: P. Kosten): 370pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Op de staat weerstand: 0.5 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 39 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 125W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:43

Technische documentatie (PDF)
IRF9640
37 parameters
Behuizing
TO-220
ID (T=25°C)
11A
Idss (max)
500uA
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
200V
Aan-weerstand Rds Aan
0.3 Ohms
Aantal per doos
1
Aanval
44nC
Aftapstroom
-11A, -6.8A
Afvoerbronspanning
-200V
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
6.6A
C(inch)
1200pF
Conditionering
tubus
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
100uA
Id(imp)
44A
Kanaaltype
P
Kosten)
370pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Op de staat weerstand
0.5 Ohms
Pd (vermogensdissipatie, max.)
125W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
±20V
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
39 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
250 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
125W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier