P-kanaaltransistor IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V

P-kanaaltransistor IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.38€
5-24
1.18€
25-49
1.03€
50-99
0.94€
100+
0.80€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 157

P-kanaaltransistor IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V. Behuizing: TO-220. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 500uA. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 29nC. Aftapstroom: -6.5A, -4A. Afvoerbronspanning: -200V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 4A. C(inch): 700pF. Conditionering: tubus. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 26A. Kanaaltype: P. Kosten): 200pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Op de staat weerstand: 0.8 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 74W. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:43

Technische documentatie (PDF)
IRF9630
38 parameters
Behuizing
TO-220
ID (T=25°C)
6.5A
Idss (max)
500uA
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
200V
Aan-weerstand Rds Aan
0.8 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aanval
29nC
Aftapstroom
-6.5A, -4A
Afvoerbronspanning
-200V
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
4A
C(inch)
700pF
Conditionering
tubus
Conditioneringseenheid
50
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
100uA
Id(imp)
26A
Kanaaltype
P
Kosten)
200pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Op de staat weerstand
0.8 Ohms
Pd (vermogensdissipatie, max.)
74W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
±20V
Td(aan)
12 ns
Td(uit)
28 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
200 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
74W
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor IRF9630