P-kanaaltransistor IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V

P-kanaaltransistor IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.10€
5-24
0.93€
25-49
0.82€
50-99
0.74€
100+
0.62€
+25 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 171

P-kanaaltransistor IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V. Behuizing: TO-220. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (max): 500uA. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 11nC. Aftapstroom: -1A, -1.75A. Afvoerbronspanning: -200V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Binnendiameter (T=100°C): 1A. C(inch): 170pF. Conditionering: tubus. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 7A. Kanaaltype: P. Kosten): 50pF. Markering van de fabrikant: IRF9610PBF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Op de staat weerstand: 3 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Td(aan): 8 ns. Td(uit): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 20W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/01/2026, 11:56

Technische documentatie (PDF)
IRF9610
39 parameters
Behuizing
TO-220
ID (T=25°C)
1.8A
Idss (max)
500uA
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
200V
Aan-weerstand Rds Aan
3 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aanval
11nC
Aftapstroom
-1A, -1.75A
Afvoerbronspanning
-200V
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
Binnendiameter (T=100°C)
1A
C(inch)
170pF
Conditionering
tubus
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
100uA
Id(imp)
7A
Kanaaltype
P
Kosten)
50pF
Markering van de fabrikant
IRF9610PBF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Op de staat weerstand
3 Ohms
Pd (vermogensdissipatie, max.)
20W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
±20V
Td(aan)
8 ns
Td(uit)
10 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
240 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
20W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Vishay