P-kanaaltransistor IRF9540N, TO-220, 23A, 250uA, TO-220AB, 100V

P-kanaaltransistor IRF9540N, TO-220, 23A, 250uA, TO-220AB, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.64€
5-24
1.41€
25-49
1.24€
50-99
1.09€
100+
0.92€
Hoeveelheid in voorraad: 174

P-kanaaltransistor IRF9540N, TO-220, 23A, 250uA, TO-220AB, 100V. Behuizing: TO-220. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.117 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 64.7nC. Aftapstroom: -23A. Afvoerbronspanning: -100V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 16A. C(inch): 1300pF. Conditionering: tubus. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 1.1K/W. ID s (min): 25uA. Id(imp): 76A. Kanaaltype: P. Kosten): 400pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Td(aan): 15 ns. Td(uit): 51 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 140W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/01/2026, 11:56

Technische documentatie (PDF)
IRF9540N
38 parameters
Behuizing
TO-220
ID (T=25°C)
23A
Idss (max)
250uA
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
100V
Aan-weerstand Rds Aan
0.117 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aanval
64.7nC
Aftapstroom
-23A
Afvoerbronspanning
-100V
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
16A
C(inch)
1300pF
Conditionering
tubus
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
Huisvesting thermische weerstand
1.1K/W
ID s (min)
25uA
Id(imp)
76A
Kanaaltype
P
Kosten)
400pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
140W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
20V, ±20V
Td(aan)
15 ns
Td(uit)
51 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
150 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
140W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier