P-kanaaltransistor IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

P-kanaaltransistor IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.25€
5-24
1.06€
25-49
0.92€
50-99
0.86€
100+
0.76€
Hoeveelheid in voorraad: 263

P-kanaaltransistor IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. C(inch): 350pF. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 27A. Kanaaltype: P. Kosten): 110pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. RoHS: ja. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/01/2026, 11:56

Technische documentatie (PDF)
IRF9520N
28 parameters
ID (T=25°C)
6.8A
Idss (max)
250uA
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
100V
Aan-weerstand Rds Aan
0.48 Ohms
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
4.1A
C(inch)
350pF
Functie
P-kanaal MOSFET-transistor
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
27A
Kanaaltype
P
Kosten)
110pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
48W
RoHS
ja
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
28 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier