P-kanaaltransistor IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanaaltransistor IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.09€
5-49
0.90€
50-99
0.76€
100+
0.68€
Hoeveelheid in voorraad: 30

P-kanaaltransistor IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 25uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. C(inch): 1700pF. Functie: Ultra Low On-Resistance. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 45A. Kanaaltype: P. Kosten): 890pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Td(aan): 18 ns. Td(uit): 59 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.04V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/01/2026, 11:56

Technische documentatie (PDF)
IRF7416
28 parameters
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
25uA
Behuizing
SO
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Spanning Vds(max)
30 v
Aan-weerstand Rds Aan
0.02 Ohms
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
7.1A
C(inch)
1700pF
Functie
Ultra Low On-Resistance
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
45A
Kanaaltype
P
Kosten)
890pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
2.5W
Td(aan)
18 ns
Td(uit)
59 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
56 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.04V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier