P-kanaaltransistor IRF7342, SO, SO-8
Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.22€
5-24
1.03€
25-49
0.90€
50-99
0.84€
100+
0.73€
| +1 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 75 |
P-kanaaltransistor IRF7342, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 2. Aanval: 26nC. Aftapstroom: -3.4A. Afvoerbronspanning: -55V. Equivalenten: IRF7342PBF. Functie: IDM--27Ap. Kanaaltype: P. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Polariteit: unipolair. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Thermische weerstand: 62.5K/W. Vermogen: 2W. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:43
IRF7342
19 parameters
Behuizing
SO
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
2
Aanval
26nC
Aftapstroom
-3.4A
Afvoerbronspanning
-55V
Equivalenten
IRF7342PBF
Functie
IDM--27Ap
Kanaaltype
P
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
2W
Polariteit
unipolair
RoHS
ja
Spanning
20V, ±20V
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Thermische weerstand
62.5K/W
Vermogen
2W
Origineel product van fabrikant
International Rectifier