P-kanaaltransistor IRF7316PBF, SO8, -30V

P-kanaaltransistor IRF7316PBF, SO8, -30V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1+
1.78€
Hoeveelheid in voorraad: 267

P-kanaaltransistor IRF7316PBF, SO8, -30V. Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 710pF. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: -3.9A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Markering van de fabrikant: F7316. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 01/01/2026, 16:56

Technische documentatie (PDF)
IRF7316PBF
16 parameters
Behuizing
SO8
Afvoerbronspanning Uds [V]
-30V
Aantal aansluitingen
8:1
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.098 Ohms @ -3.6A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
710pF
Componentfamilie
MOSFET, P-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
-3.9A
Inschakeltijd ton [nsec.]
19 ns
Markering van de fabrikant
F7316
Maximale dissipatie Ptot [W]
1.3W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
3V
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
51 ns
Origineel product van fabrikant
International Rectifier