P-kanaaltransistor IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanaaltransistor IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-1
0.71€
2-4
0.71€
5-49
0.56€
50-99
0.51€
100+
0.42€
Hoeveelheid in voorraad: 707

P-kanaaltransistor IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (max): 5uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Binnendiameter (T=100°C): 3.7A. C(inch): 870pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 15A. Kanaaltype: P. Kosten): 720pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 97 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/11/2025, 23:08

Technische documentatie (PDF)
IRF7205PBF
30 parameters
ID (T=25°C)
4.6A
Idss (max)
5uA
Behuizing
SO
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Spanning Vds(max)
30 v
Aan-weerstand Rds Aan
0.07 Ohms
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
Binnendiameter (T=100°C)
3.7A
C(inch)
870pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
15A
Kanaaltype
P
Kosten)
720pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
2.5W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
97 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
70 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier