P-kanaaltransistor IRF7104, SO, SO-8, -20V

P-kanaaltransistor IRF7104, SO, SO-8, -20V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.80€
5-49
0.63€
50-94
0.53€
95+
0.48€
Hoeveelheid in voorraad: 33

P-kanaaltransistor IRF7104, SO, SO-8, -20V. Behuizing: SO. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 2. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 290pF. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: -2.3A. Functie: 2xP-CH 20V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 40 ns. Markering van de fabrikant: F7104. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. RoHS: nee. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27

Technische documentatie (PDF)
IRF7104
22 parameters
Behuizing
SO
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Afvoerbronspanning Uds [V]
-20V
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
2
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.25 Ohms @ -1A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
290pF
Componentfamilie
MOSFET, P-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
-2.3A
Functie
2xP-CH 20V
Inschakeltijd ton [nsec.]
40 ns
Markering van de fabrikant
F7104
Maximale dissipatie Ptot [W]
2W
Maximale temperatuur
+150°C.
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
-3V
RoHS
nee
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
90 ns
Origineel product van fabrikant
International Rectifier