P-kanaaltransistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V

P-kanaaltransistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.76€
5-24
1.46€
25-49
1.32€
50+
1.19€
Hoeveelheid in voorraad: 33

P-kanaaltransistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 150V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 9A. C(inch): 860pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 44A. Kanaaltype: P. Kosten): 220pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 53 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 160 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/11/2025, 23:08

Technische documentatie (PDF)
IRF6215SPBF
30 parameters
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
250uA
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Behuizing (volgens datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spanning Vds(max)
150V
Aan-weerstand Rds Aan
0.29 Ohms
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
9A
C(inch)
860pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
44A
Kanaaltype
P
Kosten)
220pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
110W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
53 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
160 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier