P-kanaaltransistor IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V

P-kanaaltransistor IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.43€
5-24
1.21€
25-49
1.06€
50-99
0.96€
100+
0.82€
+10 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 50

P-kanaaltransistor IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Behuizing: TO-220. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 42nC. Aftapstroom: -31A. Afvoerbronspanning: -55V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Binnendiameter (T=100°C): 22A. C(inch): 1200pF. Conditionering: tubus. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 1.4K/W. ID s (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaaltype: P. Kosten): 520pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 39 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 71 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 110W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/11/2025, 23:00

Technische documentatie (PDF)
IRF5305
40 parameters
Behuizing
TO-220
ID (T=25°C)
31A
Idss (max)
250uA
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
55V
Aan-weerstand Rds Aan
0.06 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aanval
42nC
Aftapstroom
-31A
Afvoerbronspanning
-55V
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
Binnendiameter (T=100°C)
22A
C(inch)
1200pF
Conditionering
tubus
Conditioneringseenheid
50
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
Huisvesting thermische weerstand
1.4K/W
ID s (min)
25uA
Id(imp)
110A
Kanaaltype
P
Kosten)
520pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
110W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
20V, ±20V
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
39 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
71 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
110W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier