P-kanaaltransistor IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

P-kanaaltransistor IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.98€
5-24
2.62€
25-49
2.36€
50-99
2.19€
100+
1.91€
Hoeveelheid in voorraad: 129

P-kanaaltransistor IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=25°C): 38A. Idss (max): 250uA. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 24A. C(inch): 2860pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 50uA. Id(imp): 140A. Kanaaltype: P. Kosten): 800pF. Markering op de kast: F5210S. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.8W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 72 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/11/2025, 23:00

Technische documentatie (PDF)
IRF5210S
28 parameters
ID (T=25°C)
38A
Idss (max)
250uA
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Behuizing (volgens datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spanning Vds(max)
100V
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
24A
C(inch)
2860pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
50uA
Id(imp)
140A
Kanaaltype
P
Kosten)
800pF
Markering op de kast
F5210S
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
3.8W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
72 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
170 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier