P-kanaaltransistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

P-kanaaltransistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.45€
5-24
1.23€
25-49
1.08€
50-99
0.99€
100+
0.86€
Hoeveelheid in voorraad: 33

P-kanaaltransistor FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (max): 10uA. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 60V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. Binnendiameter (T=100°C): 5.95A. C(inch): 420pF. Functie: QFET, Low gate charge (typ--13ns). G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 37.6A. Kanaaltype: P. Kosten): 195pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Td(aan): 6.5 ns. Td(uit): 45 ns. Technologie: DMOS POWER-MOSFET. Trr-diode (min.): 83 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 20:19

Technische documentatie (PDF)
FQU11P06
30 parameters
ID (T=25°C)
9.4A
Idss (max)
10uA
Behuizing
TO-251 ( I-Pak )
Behuizing (volgens datablad)
TO-251AA ( I-PAK )
Spanning Vds(max)
60V
Aan-weerstand Rds Aan
0.15 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
Binnendiameter (T=100°C)
5.95A
C(inch)
420pF
Functie
QFET, Low gate charge (typ--13ns)
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
37.6A
Kanaaltype
P
Kosten)
195pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
38W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
Low Crss (typical 45pF), Fast switching
Td(aan)
6.5 ns
Td(uit)
45 ns
Technologie
DMOS POWER-MOSFET
Trr-diode (min.)
83 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Fairchild