P-kanaaltransistor FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V. Behuizing: TO-220. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 10uA. Behuizing (volgens datablad): TO220. Spanning Vds(max): 500V. Aan-weerstand Rds Aan: 3.9 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 23nC. Aftapstroom: -2.7A. Afvoerbronspanning: -500V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 1.71A. C(inch): 510pF. Conditionering: tubus. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 10.8A. Kanaaltype: P. Kosten): 70pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Op de staat weerstand: 4.9 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spanning: ±30V. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Td(aan): 35 ns. Td(uit): 12 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 85W. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 16:41