P-kanaaltransistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

P-kanaaltransistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.58€
5-49
1.30€
50-99
1.11€
100+
1.00€
Hoeveelheid in voorraad: 98

P-kanaaltransistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 10uA. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 60V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: diode. Binnendiameter (T=100°C): 19.1A. C(inch): 1100pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 102A. Kanaaltype: P. Kosten): 510pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. RoHS: ja. Td(aan): 18 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 105 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 16:41

Technische documentatie (PDF)
FQB27P06TM
29 parameters
ID (T=25°C)
27A
Idss (max)
10uA
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Behuizing (volgens datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spanning Vds(max)
60V
Aan-weerstand Rds Aan
0.055 Ohms
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
diode
Binnendiameter (T=100°C)
19.1A
C(inch)
1100pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
102A
Kanaaltype
P
Kosten)
510pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
120W
Poort-/bronspanning Vgs
25V
RoHS
ja
Td(aan)
18 ns
Td(uit)
30 ns
Technologie
DMOS, QFET
Trr-diode (min.)
105 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Fairchild