P-kanaaltransistor FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanaaltransistor FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.30€
5-24
1.16€
25-49
1.04€
50-99
0.94€
100+
0.81€
Hoeveelheid in voorraad: 11

P-kanaaltransistor FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 1uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aan-weerstand Rds Aan: 7.7m Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): n/a. C(inch): 2890pF. G-S-bescherming: ja. ID s (min): n/a. Id(imp): 65A. Kanaaltype: P. Kosten): 500pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(aan): 13 ns. Td(uit): 210 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 23:00

Technische documentatie (PDF)
FDS6679AZ
28 parameters
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
1uA
Behuizing
SO
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Spanning Vds(max)
30 v
Aan-weerstand Rds Aan
7.7m Ohms
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
2890pF
G-S-bescherming
ja
Id(imp)
65A
Kanaaltype
P
Kosten)
500pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
2.5W
Poort-/bronspanning Vgs
25V
RoHS
ja
Spec info
Zero Gate Voltage Drain Current
Td(aan)
13 ns
Td(uit)
210 ns
Technologie
PowerTrench MOSFET
Trr-diode (min.)
40 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Fairchild