P-kanaaltransistor FDS6675BZ, SO, -30V, 11A, 1uA, SO-8, 30 v
| +1213 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 60 |
P-kanaaltransistor FDS6675BZ, SO, -30V, 11A, 1uA, SO-8, 30 v. Behuizing: SO. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aan-weerstand Rds Aan: 17.4m Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): n/a. C(inch): 1855pF. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2470pF. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: -11A. Functie: Uitgebreid VGS-bereik (-25V) voor toepassingen op batterijen. G-S-bescherming: ja. ID s (min): n/a. Id(imp): 55A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Kanaaltype: P. Kosten): 355pF. Markering van de fabrikant: -. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. RoHS: ja. Spec info: FDS6675BZ. Td(aan): 3 ns. Td(uit): 120ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 200 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 23:00