P-kanaaltransistor FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v

P-kanaaltransistor FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.60€
5-24
0.52€
25-49
0.46€
50-99
0.42€
100+
0.36€
+959 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 85

P-kanaaltransistor FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (JEDEC-standaard): -. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Spanning Vds(max): 30 v. Aan-weerstand Rds Aan: 0.105 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -1.2A. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 182pF. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 182pF. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: -1.5A. Functie: Single P-Channel, Logic Level. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 5A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Kanaaltype: P. Kosten): 56pF. Markering op de kast: 358. Markering van de fabrikant: 358. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. RoHS: ja. Technologie: PowerTrench MOSFET. Type transistor: MOSFET. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 23:00

Technische documentatie (PDF)
FDN358P
41 parameters
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Afvoerbronspanning Uds [V]
-30V
ID (T=25°C)
1.5A
Idss
10uA
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23
Spanning Vds(max)
30 v
Aan-weerstand Rds Aan
0.105 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ -1.2A
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
182pF
Ciss-poortcapaciteit [pF]
182pF
Componentfamilie
MOSFET, P-MOS
Conditionering
rol
Conditioneringseenheid
3000
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
-1.5A
Functie
Single P-Channel, Logic Level
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
5A
Inschakeltijd ton [nsec.]
10 ns
Kanaaltype
P
Kosten)
56pF
Markering op de kast
358
Markering van de fabrikant
358
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.5W
Maximale temperatuur
+150°C.
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.5W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
-3V
RoHS
ja
Technologie
PowerTrench MOSFET
Type transistor
MOSFET
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
21 ns
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Fairchild