P-kanaaltransistor BSS84LT1G-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V

P-kanaaltransistor BSS84LT1G-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-99
0.24€
100+
0.13€
Hoeveelheid in voorraad: 39752

P-kanaaltransistor BSS84LT1G-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V. Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -50V. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 36pF. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: -0.13A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3.6 ns. Markering van de fabrikant: Pd (vermogensdissipatie, max.). Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 12 ns. Origineel product van fabrikant: Onsemi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 15:27

BSS84LT1G-PD
17 parameters
Behuizing
SOT-23
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-236AB
Afvoerbronspanning Uds [V]
-50V
Aantal aansluitingen
3
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
10 Ohms @ -0.13A
Ciss-poortcapaciteit [pF]
36pF
Componentfamilie
MOSFET, P-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
-0.13A
Inschakeltijd ton [nsec.]
3.6 ns
Markering van de fabrikant
Pd (vermogensdissipatie, max.)
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.225W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
-2V
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
12 ns
Origineel product van fabrikant
Onsemi