P-kanaaltransistor BSS84, SOT-23 ( TO-236 ), 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V

P-kanaaltransistor BSS84, SOT-23 ( TO-236 ), 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0706€
50-99
0.0624€
100-499
0.0551€
500+
0.0460€
+22480 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 379
Minimum: 10

P-kanaaltransistor BSS84, SOT-23 ( TO-236 ), 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=25°C): 130mA. Idss (max): 46.4k Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 50V. Aan-weerstand Rds Aan: 6 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aftapstroom: -130mA. Afvoerbronspanning: -50V. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. Binnendiameter (T=100°C): 75mA. C(inch): 25pF. Functie: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. G-S-bescherming: nee. Gemiddelde continue stroom: -130mA. ID s (min): 10uA. Id(imp): 520mA. Kanaaltype: P. Kosten): 15pF. Markering op de kast: 11W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Op de staat weerstand: 10 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 11W. Td(aan): 3 ns. Td(uit): 7 ns. Technologie: Verbeterende modus verticale D-MOS-transistor. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 0.25W. Vgs(th) min.: 0.8V. Origineel product van fabrikant: Nxp Semiconductors. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 13:31

Technische documentatie (PDF)
BSS84
38 parameters
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
ID (T=25°C)
130mA
Idss (max)
46.4k Ohms
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Spanning Vds(max)
50V
Aan-weerstand Rds Aan
6 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aftapstroom
-130mA
Afvoerbronspanning
-50V
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
Binnendiameter (T=100°C)
75mA
C(inch)
25pF
Functie
Direct interface to C-MOS, TTL, etc
G-S-bescherming
nee
Gemiddelde continue stroom
-130mA
ID s (min)
10uA
Id(imp)
520mA
Kanaaltype
P
Kosten)
15pF
Markering op de kast
11W
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Op de staat weerstand
10 Ohms
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.25W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
±20V
Spec info
zeefdruk/SMD-code 11W
Td(aan)
3 ns
Td(uit)
7 ns
Technologie
Verbeterende modus verticale D-MOS-transistor
Type transistor
MOSFET
Vermogen
0.25W
Vgs(th) min.
0.8V
Origineel product van fabrikant
Nxp Semiconductors
Minimale hoeveelheid
10