NPN-transistor ZTX653, 2A, TO-92, TO-92, 100V

NPN-transistor ZTX653, 2A, TO-92, TO-92, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.28€
5-24
1.09€
25-99
0.97€
100-199
0.87€
200+
0.75€
Hoeveelheid in voorraad: 125

NPN-transistor ZTX653, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. CE-diode: nee. FT: 175 MHz. Functie: Zeer lage verzadiging VBE(sat) 0,9V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 6A. Kosten): 30pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX753. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.13V. Origineel product van fabrikant: Diodes Inc. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/11/2025, 23:05

Technische documentatie (PDF)
ZTX653
26 parameters
Collectorstroom
2A
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92
Collector-emitterspanning Vceo
100V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55...+200°C
CE-diode
nee
FT
175 MHz
Functie
Zeer lage verzadiging VBE(sat) 0,9V
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
6A
Kosten)
30pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) ZTX753
Technologie
SILICON PLANAR
Tf(max)
1200 ns
Tf(min)
80 ns
Type transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.13V
Origineel product van fabrikant
Diodes Inc.