NPN-transistor PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-transistor PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0845€
50-99
0.0736€
100-199
0.0669€
200+
0.0569€
Hoeveelheid in voorraad: 79
Minimum: 10

NPN-transistor PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. FT: kHz. Functie: Transistor met ingebouwde voorspanningsweerstand. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: *08. Minimale hFE-versterking: 80. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code P08/T08. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Origineel product van fabrikant: Philips Semiconductors. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 13:03

Technische documentatie (PDF)
PDTC144ET
23 parameters
Collectorstroom
100mA
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
FT
kHz
Functie
Transistor met ingebouwde voorspanningsweerstand
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
100mA
Markering op de kast
*08
Minimale hFE-versterking
80
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.25W
RoHS
ja
Spec info
zeefdruk/SMD-code P08/T08
Type transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
10V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.15V
Origineel product van fabrikant
Philips Semiconductors
Minimale hoeveelheid
10