NPN-transistor MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

NPN-transistor MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.44€
5-9
0.33€
10-24
0.30€
25+
0.27€
Hoeveelheid in voorraad: 2893

NPN-transistor MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. FT: kHz. Functie: transistor met voorspanningsweerstandsnetwerk. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: B1GBCFLL0035. Markering op de kast: 8B. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 60. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 338mW. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 8B. Technologie: Digitale transistors (BRT). Temperatuur: +150°C. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:07

MUN2212
24 parameters
Collectorstroom
0.1A
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm )
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
CE-diode
nee
FT
kHz
Functie
transistor met voorspanningsweerstandsnetwerk
Halfgeleidermateriaal
silicium
Let op
B1GBCFLL0035
Markering op de kast
8B
Maximale hFE-versterking
100
Minimale hFE-versterking
60
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
338mW
RoHS
ja
Spec info
zeefdruk/SMD-code 8B
Technologie
Digitale transistors (BRT)
Temperatuur
+150°C
Type transistor
NPN
Vcbo
50V
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor