NPN-transistor MMBT5551, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: nee. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Equivalenten: MMBT5551LT1G. FT: 100 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: G1. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 60. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code G1 (3S Fairchild). Type transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 6V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Origineel product van fabrikant: Diotec Semiconductor. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 18:37