NPN-transistor MMBT5401, SOT-23 ( TO-236 ), 600mA, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 150V. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. CE-diode: nee. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Collectorstroom Ic [A]: 0.6A. Componentfamilie: PNP-transistor. Conditioneringseenheid: 3000. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Equivalenten: MMBT5401LT1G. FT: 100 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 6pF. Markering op de kast: 2 L. Markering van de fabrikant: 2L. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.250W. Maximale hFE-versterking: 240. Maximale temperatuur: +150°C.. Minimale hFE-versterking: 50. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Spanning (verzamelaar - emitter): 150V. Spec info: zeefdruk/SMD-code (2Lx datumcode). Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Vermogen: 350mW. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Origineel product van fabrikant: Diotec Semiconductor. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 18:37