NPN-transistor MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V

NPN-transistor MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0396€
50-99
0.0327€
100-199
0.0286€
200+
0.0241€
+4234 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 278
Minimum: 10

NPN-transistor MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. BE-diode: nee. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. CE-diode: nee. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A]: 0.2A. Componentfamilie: NPN-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). FT: 300 MHz. Frequentie: 300MHz. Functie: UNI. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 1.6pF. Markering op de kast: 1AM. Markering van de fabrikant: 1AM. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Maximale hFE-versterking: 300. Maximale temperatuur: +150°C.. Minimale hFE-versterking: 100. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Spanning (verzamelaar - emitter): 40V. Spec info: SMD 1AM. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vermogen: 300mW. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 18:37

Technische documentatie (PDF)
MMBT3904LT1G
37 parameters
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Collectorstroom Ic [A], max.
200mA
Collectorstroom
0.2A
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23
Collector-emitterspanning Vceo
60V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Afsnijfrequentie ft [MHz]
300 MHz
BE-diode
nee
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-236
CE-diode
nee
Collector-emitterspanning Uceo [V]
40V
Collectorstroom Ic [A]
0.2A
Componentfamilie
NPN-transistor
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
FT
300 MHz
Frequentie
300MHz
Functie
UNI
Halfgeleidermateriaal
silicium
Kosten)
1.6pF
Markering op de kast
1AM
Markering van de fabrikant
1AM
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.225W
Maximale hFE-versterking
300
Maximale temperatuur
+150°C.
Minimale hFE-versterking
100
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.2W
Polariteit
bipolair
RoHS
ja
Spanning (verzamelaar - emitter)
40V
Spec info
SMD 1AM
Type transistor
NPN
Vcbo
40V
Vermogen
300mW
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor
Minimale hoeveelheid
10