NPN-transistor MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

NPN-transistor MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0294€
50-99
0.0249€
100+
0.0225€
Hoeveelheid in voorraad: 1009
Minimum: 10

NPN-transistor MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: nee. FT: 200 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 1.2A. Kosten): 1.6pF. Markering op de kast: 2F. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Spec info: SMD '2F'. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 18:37

Technische documentatie (PDF)
MMBT2907ALT1G
26 parameters
Collectorstroom
0.6A
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Collector-emitterspanning Vceo
60V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
CE-diode
nee
FT
200 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
1.2A
Kosten)
1.6pF
Markering op de kast
2F
Maximale hFE-versterking
300
Minimale hFE-versterking
100
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
225mW
RoHS
ja
Spec info
SMD '2F'
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.4V
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor
Minimale hoeveelheid
10