NPN-transistor MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

NPN-transistor MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
4.96€
5-14
4.34€
15-29
3.92€
30-59
3.62€
60+
3.22€
Geen voorraad meer
Equivalentie beschikbaar
Ontvang een e-mail wanneer dit product weer op voorraad is!

NPN-transistor MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. CE-diode: nee. FT: 30 MHz. Functie: Complementaire bipolaire vermogenstransistor. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 25A. Kosten): 2.8pF. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 50. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Productiedatum: 201444 201513. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW1302A. Technologie: Bipolaire vermogenstransistor. Type transistor: NPN. Vcbo: 230V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27

Technische documentatie (PDF)
MJW3281AG
27 parameters
Collectorstroom
15A
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247
Collector-emitterspanning Vceo
230V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
CE-diode
nee
FT
30 MHz
Functie
Complementaire bipolaire vermogenstransistor
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
25A
Kosten)
2.8pF
Maximale hFE-versterking
200
Minimale hFE-versterking
50
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
200W
Productiedatum
201444 201513
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) MJW1302A
Technologie
Bipolaire vermogenstransistor
Type transistor
NPN
Vcbo
230V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.4V
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor MJW3281AG