NPN-transistor MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: -70V. Collectorstroom: 10A. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: nee. Collectorstroom Ic [A]: 10A. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Conditionering: tubus. Configuratie: PCB-doorvoermontage. FT: 2 MHz. Functie: NF-L. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering van de fabrikant: MJE2955T. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Maximale frequentie: 4MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Maximale temperatuur: +150°C.. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 8V. Minimale hFE-versterking: 20. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Spanning (verzamelaar - emitter): 70V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE3055T. Technologie: Epitaxial-Base. Type transistor: PNP. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Vermogen: 90W. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 06:55