NPN-transistor MJE200G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. CE-diode: nee. FT: 65MHz. Functie: -. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 80pF. Maximale hFE-versterking: 180. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Minimale hFE-versterking: 45. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE210. Type transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 8V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27