NPN-transistor MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. CE-diode: nee. FT: 30 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 8A. Kosten): 2.5pF. Let op: complementaire transistor (paar) MJE15034G. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 10. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Type transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 06:55