NPN-transistor MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V

NPN-transistor MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.73€
5-49
1.49€
50-99
1.32€
100-199
1.20€
200+
1.03€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 87

NPN-transistor MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V. Behuizing: TO-220. Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. CE-diode: nee. Collectorstroom Ic [A]: 8A. FT: 14 MHz. Functie: schakelcircuits. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 16A. Kosten): 80pF. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Spanning (verzamelaar - emitter): 400V. Spec info: Hoge snelheidsschakelen. Technologie: bipolaire vermogenstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Vermogen: 80W. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 05:05

MJE13007
32 parameters
Behuizing
TO-220
Collectorstroom
8A
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Collector-emitterspanning Vceo
400V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
CE-diode
nee
Collectorstroom Ic [A]
8A
FT
14 MHz
Functie
schakelcircuits
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
16A
Kosten)
80pF
Maximale hFE-versterking
40
Minimale hFE-versterking
8:1
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
80W
Polariteit
bipolair
RoHS
ja
Spanning (verzamelaar - emitter)
400V
Spec info
Hoge snelheidsschakelen
Technologie
bipolaire vermogenstransistor
Tf(max)
0.7us
Tf(min)
0.23us
Type transistor
NPN
Vcbo
700V
Vebo
9V
Vermogen
80W
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1V
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor MJE13007