NPN-transistor MJ11032G, TO-3, 120V, 50A, 50A

NPN-transistor MJ11032G, TO-3, 120V, 50A, 50A

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-9
29.69€
10+
24.74€
Hoeveelheid in voorraad: 6

NPN-transistor MJ11032G, TO-3, 120V, 50A, 50A. Behuizing: TO-3. Collector-emitterspanning VCEO: 120V. Collectorstroom: 50A. Collectorstroom Ic [A], max.: 50A. Aantal aansluitingen: 3. Afsnijfrequentie ft [MHz]: -. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Markering van de fabrikant: MJ11032G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Maximale frequentie: 30MHz. Maximale temperatuur: +200°C.. Polariteit: NPN. RoHS: ja. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Uitvoering: Darlington-transistor. Vermogen: 300W. Origineel product van fabrikant: Onsemi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 15:27

Technische documentatie (PDF)
MJ11032G
19 parameters
Behuizing
TO-3
Collector-emitterspanning VCEO
120V
Collectorstroom
50A
Collectorstroom Ic [A], max.
50A
Aantal aansluitingen
3
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-204AA
Collector-emitterspanning Uceo [V]
120V
Componentfamilie
Darlington NPN-vermogenstransistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Markering van de fabrikant
MJ11032G
Maximale dissipatie Ptot [W]
300W
Maximale frequentie
30MHz
Maximale temperatuur
+200°C.
Polariteit
NPN
RoHS
ja
Type transistor
Darlington-vermogenstransistor
Uitvoering
Darlington-transistor
Vermogen
300W
Origineel product van fabrikant
Onsemi