NPN-transistor MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V

NPN-transistor MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
14.08€
5-9
13.28€
10-24
12.77€
25-49
12.39€
50+
11.68€
+21 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 15

NPN-transistor MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Collectorstroom Ic [A], max.: 30A. Collectorstroom: 30A. Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204 ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: -. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. C(inch): 4pF. CE-diode: nee. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Darlington-transistor?: ja. FT: 4 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Markering van de fabrikant: MJ11016G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Maximale temperatuur: +200°C.. Minimale hFE-versterking: 1000. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11015. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:52

Technische documentatie (PDF)
MJ11016G
33 parameters
Behuizing
TO-3 ( TO-204 )
Collectorstroom Ic [A], max.
30A
Collectorstroom
30A
Behuizing (volgens datablad)
TO-3 ( TO-204 )
Collector-emitterspanning Vceo
120V
Aantal aansluitingen
2
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55...+200°C
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-204AA
C(inch)
4pF
CE-diode
nee
Collector-emitterspanning Uceo [V]
120V
Componentfamilie
Darlington NPN-vermogenstransistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Darlington-transistor?
ja
FT
4 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Let op
8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2)
Markering van de fabrikant
MJ11016G
Maximale dissipatie Ptot [W]
200W
Maximale temperatuur
+200°C.
Minimale hFE-versterking
1000
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
200W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) MJ11015
Type transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
3V
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor