NPN-transistor MJ11015G, TO-3 ( TO-204 ), TO-204AA, -120V, 30A, 120V, 30A, TO-3, 120V. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Collector-emitterspanning VCEO: -120V. Collectorstroom: 30A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30A. Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 2. Afsnijfrequentie ft [MHz]: -. BE-diode: nee. Bandbreedte MHz: 4MHz. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. CE-diode: nee. Collector-base spanning VCBO: -120V. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 200. Darlington-transistor?: ja. FT: 4 MHz. Functie: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Halfgeleidermateriaal: silicium. Informatie: -. Ingebouwde diode: ja. Let op: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). MSL: -. Markering van de fabrikant: MJ11015G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Maximale frequentie: 4MHz. Maximale temperatuur: +200°C.. Minimale hFE-versterking: 1000. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Montagetype: Chassisbevestiging. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Polariteit: PNP. RoHS: ja. Serie: MJ11015G. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11016. Stroom Max 1: -30A. Type transistor: PNP. Uitvoering: Darlington-transistor. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Vermogen: 200W. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:52