NPN-transistor MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V

NPN-transistor MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
5.59€
5-9
4.95€
10-24
4.58€
25+
4.26€
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd
Geen voorraad meer

NPN-transistor MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Collectorstroom: 20A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. CE-diode: nee. Darlington-transistor?: ja. FT: kHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 30A. Kosten): 2.5pF. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 40. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Tf(max): 0.6us. Type transistor: NPN. Vcbo: 650V. Vebo: 8V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Origineel product van fabrikant: Mospec Semiconductor Corp. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 05:05

Technische documentatie (PDF)
MJ10005
25 parameters
Collectorstroom
20A
Behuizing
TO-3 ( TO-204 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-3 ( TO–204AE )
Collector-emitterspanning Vceo
450V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-65...+200°C
CE-diode
nee
Darlington-transistor?
ja
FT
kHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
30A
Kosten)
2.5pF
Maximale hFE-versterking
400
Minimale hFE-versterking
40
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
175W
Spec info
Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms
Tf(max)
0.6us
Type transistor
NPN
Vcbo
650V
Vebo
8V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
2V
Origineel product van fabrikant
Mospec Semiconductor Corp.