NPN-transistor KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

NPN-transistor KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.25€
5-29
1.97€
30-59
1.77€
60+
1.63€
Hoeveelheid in voorraad: 18

NPN-transistor KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3P ( H ) IS. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. FT: 10 MHz. Functie: Krachtige audioversterker. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 280pF. Markering op de kast: B778. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 55. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Spec info: complementaire transistor (paar) KTD998. Temperatuur: +150°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Origineel product van fabrikant: Korea Electronics Semi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27

Technische documentatie (PDF)
KTB778
26 parameters
Collectorstroom
10A
Behuizing
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Behuizing (volgens datablad)
TO-3P ( H ) IS
Collector-emitterspanning Vceo
120V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
CE-diode
nee
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
30
FT
10 MHz
Functie
Krachtige audioversterker
Halfgeleidermateriaal
silicium
Kosten)
280pF
Markering op de kast
B778
Maximale hFE-versterking
160
Minimale hFE-versterking
55
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
80W
Spec info
complementaire transistor (paar) KTD998
Temperatuur
+150°C
Type transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
2.5V
Origineel product van fabrikant
Korea Electronics Semi.