NPN-transistor ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V

NPN-transistor ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-1
35.75€
2-4
34.80€
5-9
34.33€
10-19
33.94€
20+
33.33€
Hoeveelheid in voorraad: 22

NPN-transistor ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Collectorstroom Ic [A], max.: 100A. Collectorstroom: 100A. Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: -. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Configuratie: Geschroefd. Darlington-transistor?: ja. FT: kHz. Functie: Power Darlington NPN-transistormodule. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 150A. Let op: Geschroefd. Markering van de fabrikant: ESM3030DV. Maximale dissipatie Ptot [W]: 225W. Maximale hFE-versterking: 300. Maximale temperatuur: +150°C.. Minimale hFE-versterking: 300. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225W. RoHS: ja. Spec info: Single Dual Emitter. Temperatuur: +150°C. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Type transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 7V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.25V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 21:25

Technische documentatie (PDF)
ESM3030DV
34 parameters
Behuizing
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Collectorstroom Ic [A], max.
100A
Collectorstroom
100A
Behuizing (volgens datablad)
ISOTOP ( SOT-227 )
Collector-emitterspanning Vceo
400V
Aantal aansluitingen
4
Aantal aansluitingen
4
Aantal per doos
1
Collector-emitterspanning Uceo [V]
300V
Componentfamilie
Darlington NPN-vermogenstransistor
Configuratie
Geschroefd
Darlington-transistor?
ja
FT
kHz
Functie
Power Darlington NPN-transistormodule
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
150A
Let op
Geschroefd
Markering van de fabrikant
ESM3030DV
Maximale dissipatie Ptot [W]
225W
Maximale hFE-versterking
300
Maximale temperatuur
+150°C.
Minimale hFE-versterking
300
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
225W
RoHS
ja
Spec info
Single Dual Emitter
Temperatuur
+150°C
Tf(max)
0.6us
Tf(min)
0.35us
Type transistor
NPN & NPN
Vcbo
300V
Vebo
7V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1.25V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics