NPN-transistor DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-transistor DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-19
0.0600€
20-49
0.0536€
50+
0.0471€
Hoeveelheid in voorraad: 2280
Minimum: 10

NPN-transistor DTC143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. FT: kHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 18. Minimale hFE-versterking: 100. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Productiedatum: 2014/49. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Origineel product van fabrikant: Philips Semiconductors. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 18:16

Technische documentatie (PDF)
DTC143ZT
22 parameters
Collectorstroom
100mA
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
FT
kHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
100mA
Markering op de kast
18
Minimale hFE-versterking
100
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.25W
Productiedatum
2014/49
RoHS
ja
Type transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
10V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.1V
Origineel product van fabrikant
Philips Semiconductors
Minimale hoeveelheid
10