NPN-transistor DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-transistor DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-24
0.0961€
25-49
0.0830€
50-99
0.0754€
100+
0.0637€
Hoeveelheid in voorraad: 65
Minimum: 10

NPN-transistor DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. BE-weerstand: 47k Ohms. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. CE-diode: nee. Functie: Met PNP-weerstand uitgeruste transistor. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 100mA. Kosten): 3pF. Minimale hFE-versterking: 100. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 19. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Weerstand B: 4.7k Ohms. Origineel product van fabrikant: Nxp Semiconductors. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 13:03

Technische documentatie (PDF)
DTA143ZT
26 parameters
Collectorstroom
100mA
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
BE-weerstand
47k Ohms
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
CE-diode
nee
Functie
Met PNP-weerstand uitgeruste transistor
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
100mA
Kosten)
3pF
Minimale hFE-versterking
100
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.25W
RoHS
ja
Spec info
zeefdruk/SMD-code 19
Type transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
10V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.1V
Weerstand B
4.7k Ohms
Origineel product van fabrikant
Nxp Semiconductors
Minimale hoeveelheid
10