NPN-transistor BUL45GD2G, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO220AB CASE 221A-09. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: ja. FT: 13 MHz. Functie: Hoge snelheid, hoge versterking, bipolaire NPN-vermogenstransistor. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 10A. Kosten): 50pF. Maximale hFE-versterking: 34. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Minimale hFE-versterking: 22. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 12V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.28V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 08:57