NPN-transistor BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

NPN-transistor BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
8.30€
5-9
7.60€
10-24
6.95€
25-49
6.53€
50+
5.79€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 7

NPN-transistor BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 2. BE-weerstand: 42 Ohms. Darlington-transistor?: ja. FT: kHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 10A. Maximale hFE-versterking: 230. Minimale hFE-versterking: 60. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. RoHS: ja. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Temperatuur: +150°C. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 12:31

Technische documentatie (PDF)
BU808DFX
25 parameters
Collectorstroom
8A
Behuizing
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Behuizing (volgens datablad)
ISOWATT218FX
Collector-emitterspanning Vceo
700V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
2
BE-weerstand
42 Ohms
Darlington-transistor?
ja
FT
kHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
10A
Maximale hFE-versterking
230
Minimale hFE-versterking
60
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
62W
RoHS
ja
Spec info
ICM--(tp < 5ms)
Temperatuur
+150°C
Tf(max)
0.8us
Tf(min)
0.2us
Type transistor
NPN
Vcbo
1400V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1.6V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor BU808DFX